雪崩三极管。耗散功率:1W特征频率:50MHZ最大电流:300MA集电极-基极击穿电压:20V开通时间:5ns( 上升)延迟:5ns雪崩幅度:10v( RL=50Ω)当NPN型晶体管的集电极电压很高时,收集结空间电荷区内的电场强度比放大低压运用时大得多。进入收集结的载流子被强电场加速,从而获得很大能量,它们与晶格碰撞时产生了新的电子-空穴对,新产生的电子、空穴又分别被强电场加速而重复上述过程。于是流过收集结的电流"雪崩"式迅速增长,这就是晶体管的雪崩倍增效应。主要用来产生宽带高速脉冲。[]
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