三星的NAND闪存和MXIC的闪存 哪个好
什么是3D NAND闪存?从新闻到评测,我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了,首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。
从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
3D NAND与2D NAND区别3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈,这只是其中的一种,还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存有什么优势?在回答3D NAND闪存有什么优势的时候,我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分,为了进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺也在不断进步,从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND闪存跟处理器不一样,先进工艺虽然带来了更大的容量,但NAND闪存的制程工艺是双刃剑,容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,可靠性也越差,厂商就需要采取额外的手段来弥补,但这又会提高成本,以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下,3D NAND解决问题的思路就不一样了,为了提高NAND的容量、降低成本,厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了,转而堆叠更多的层数就可以了,这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了,比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2,而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2,48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路,主流工艺是15/16nm,但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了,而3D NAND闪存还会继续走下去,目前的堆栈层数不过32-48层,厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。
四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色在主要的NAND厂商中,三星最早量产了3D NAND,其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间,Intel、美光去年才推出3D NAND闪存,Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD,不过主要是面向企业级市场的。
这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同,堆栈的层数也不一样,而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存,它跟目前的3D闪存有很大不同,属于杀手锏级产品,值得关注。
四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色上述3D NAND闪存中,由于厂商不一定公布很多技术细节,特别是很少提及具体的制程工艺,除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场,代表性产品也不足。
三星:最早量产的V-NAND闪存三星是NAND闪存市场最强大的厂商,在3D NAND闪存上也是一路领先,他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。
在3D NAND路线上,三星也研究过多种方案,最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存,目前已经发展了三代V-NAND技术,堆栈层数从之前的24层提高到了48层,TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
三星最早量产了3D NAND闪存值得一提的是,三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势,他们首先选择了CTF电荷撷取闪存(charge trap flash,简称CTF)路线,相比传统的FG(Floating Gate,浮栅极)技术难度要小一些,这多少也帮助三星占了时间优势。
有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章:NAND新时代起点,三星V-NAND技术详解东芝/闪迪:独辟蹊径的BiCS技术东芝是闪存技术的发明人,虽然现在的份额和产能被三星超越,不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大,很早就投入3D NAND研发了,2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了,2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的,但制造工艺复杂,要求很高,而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling,强调的就是随NAND规模而降低成本,号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低,也意味着成本更低。
东芝的BiCS技术3D NAND东芝和闪迪是战略合作伙伴,双方在NAND领域是共享技术的,他们的BiCS闪存去年开始量产,目前的堆栈层数是48层,MLC类型的核心容量128Gb,TLC类型的容量可达256Gb,预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产,2016年可以大量出货了。
SK Hynix:闷声发财的3D NAND在这几家NAND厂商中,SK Hynix的3D NAND最为低调,相关报道很少,以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料,不过从官网公布的信息来看,SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了,2014年Q4推出的第一代,2015年Q3季度推出的第二代,去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存,只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场,今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E...
固态硬盘的32层3D V
1. 三星850EVO还是不错的。
2. 除了提供最大1TB容量外,还拥有120G、250G以及500GB三种容量。
性能方面,持续读写最高都是540MB/s、520MB/s,随机读写最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS,堪称性能读写的佼佼者。
此外,相比于840EVO 的3年质保,850EVO提供长达5年的质保,看得出三星对3D V-NAND闪存还是非常有信心的。
3. 性能很好,最具性价比的SSD之一。
4. 用ASS跑分,一般都能上千。
还有专用的加速软件,用内存代替SSD,跑分上4000。
虽然夸张,但这是日常使用的常规状态。
5. 而且主控好,回收机制好,长期使用不掉速。
TLC的寿命也比一般的TLC长得多,基本上和别的品牌的MLC齐平。
什么是NAND闪存?
NAND Flash市场在经过数年的三位数年成长率之后,2009年将出现两位数的年成长率。
起因于这一波全球金融风暴自今年第二季开始肆虐北美、欧洲与亚洲新兴国家等地,使得各项消费性电子商品第三季的出货表现远不如往年同期的水平,且目前这波金融风暴对全球经济的影响仍持续发酵中,一般民众的消费信心也将因为全球景气的衰退逐渐趋于保守,连带使得消费支出的金额往下,因此我们调降NAND Flash各项主要应用的09年出货数字,并以此推算出09年NAND Flash整体市场的位成长将从08年的125%下降至93%,达55373兆位。
在NAND Flash的四个主要应用(手机、数字相机、U盘、MP3/PMP)中,手机今年第三季的出货仅较第二季成长2%,低于过去两年同期5~6%的年成长率。
我们预期今年第四季手机市场的出货将首次出现个位数的季成长率,有别于过往两年同期的17至19%的数字。
由于今年三、四季的出货成长力道已明显下滑,因此我们预估2009年手机整年的出货量将出现零成长的情况,和今年12.3亿支的出货水平相同。
倘若手机今年第四季的实际出货情况比预期更低,则2009年手机市场将出现负成长的情况。
在数字相机、随身碟和MP3/PMP等另外三个NAND Flash的主要应用中,我们预估数字相机09年的出货规模仅较08年成长8%,约1.51亿台的出货规模,远低于07~08年的21.3%和23.4%的年成长数字。
随身碟部分,尽管此产品最近几年可应用的领域扩展至汽车多媒体系统、数字电视、DVD播放机、机上盒和数字相框等,然PC仍为其最主要的终端应用。
由于PC市场(包含DT、NB和Net Book)09年的出货预期受到这波金融风暴的影响将仅有3~4%的成长,因此我们预估随身碟09年的出货成长只有11%左右,约1.96亿支的水平,远低于07~08年的33%和26%的数字。
MP3/PMP部分,在一般手机的音乐播放功能逐渐取代基本款MP3/PMP的效应显现下,我们预估09年MP3/PMP的市场出货量将维持在1.6亿台左右的规模,和08年的出货数字相当。
从NAND Flash的使用型态上来区分,以外插形式存在的记忆卡和随身碟2008年占整体市场需求的比重大约是在六成四左右,而将NAND Flash内建在产品装置内的比重则接近三成六。
2009年这两种形式的比重将不会出现什么变化,存储卡和U盘两者仍占市场整体比重的六成五,内建NAND Flash在产品应用内的比重则为三成五。
NAND Flash内建形式的比重无法在09年有明显增加的主因在于09年MP3/PMP市场的成长性将呈现持平的状态,而低价计算机搭载SSD的普及率预期在09年会比08年更少,因为低价计算机的主要业者会以大容量的传统硬盘来吸引消费者购买产品。
如此一来,SSD市场起飞的时间将往后再延一段时间,也使得内建形式的比重短期内不会出现明显的成长。
三星新出的860evo固态硬盘
860系列现在全线升级使用三星最新的64层堆叠3D V-NAND闪存,类型为TLC,单颗容量256Gb(32GB)、512Gb(64GB),同时全部搭配新的MJX SSD主控,DRAM缓存也统一使用LPDDR4。
整体性能变化不大,毕竟SATA接口就那样了,而质保虽然统一为5年(850 RPO 10年),但寿命其实更强了,比如说860 PRO 4TB达到了惊人的4800TBW,也就是1200次全盘写入。
奇怪的是,860 EVO居然还有mSATA版本,要知道这个接口已经基本被淘汰了,鲜有新产品,大家都去做M.2了,不知道三星为何如此恋旧。
三星的官方网站
1、这个是一块由三星面向OEM市场新推出的一款M.2接口的PCIE 3.0 *4,支持NVMe的固态硬盘,容量为128G。
2、型号是针对OEM厂商的PM961(NVME版本,非ACHI版本),不支持SN验证,不支持Magician软件。
3、使用了三星全新Polaris主控,2Bit MLC 3D V-NAND。
三星集团1、是韩国最大的跨国企业集团,同时也是上市企业全球500强,三星集团包括众多的国际下属企业,旗下子公司有:三星电子、三星物产、三星航空、三星人寿保险等等,业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
2、三星集团成立于1938年,由李秉喆创办。
三星集团是家族企业,李氏家族世袭,旗下各个三星产业均为家族产业,并由家族中的其他成员管理,集团领导人已传至 李氏第三代,李健熙为现任集团会长,其子李在镕任三星电子副会长。
3、016年,三星被曝卷入韩国“闺蜜干政”丑闻中,已经遭到调查。
2018年1月11日,华为诉三星侵犯知识产权案一审宣判公开宣判,三星被判决立即停止以制造销售和许诺销售的形式,侵害华为专利权的行为。
[1]2018年1月10日,2018年C-NPS家电产品和信息通讯产品行业TOP3品牌:三星以150分获得彩电第1名;以170分获得笔记本电脑第2名。
三星固态硬盘850evo 性能怎么样?
1. 三星850EVO还是不错的。
2. 除了提供最大1TB容量外,还拥有120G、250G以及500GB三种容量。
性能方面,持续读写最高都是540MB/s、520MB/s,随机读写最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS,堪称性能读写的佼佼者。
此外,相比于840EVO 的3年质保,850EVO提供长达5年的质保,看得出三星对3D V-NAND闪存还是非常有信心的。
3. 性能很好,最具性价比的SSD之一。
4. 用ASS跑分,一般都能上千。
还有专用的加速软件,用内存代替SSD,跑分上4000。
虽然夸张,但这是日常使用的常规状态。
5. 而且主控好,回收机制好,长期使用不掉速。
TLC的寿命也比一般的TLC长得多,基本上和别的品牌的MLC齐平。
转载请注明出处51数据库 » 三星v nand wordline